Snapdragon 8 Gen 1 – ახალი თაობის ფლგამანებისთვის

კონფერენციაზე Tech Summit ჰავაიზე, კომპანია Qualcomm-მა ოფიციალურად წარმოადგინა წლის მთავარი სიახლე – ახალი ფლაგმანური პროცესორი Snapdragon 8 Gen 1. მომავალ წელს ის შეცვლის Snapdragon 888 ჩიპს ყველა მწარმოებლის ტოპ სმარტფონებში გარდა Google-ისა და Apple-ისა, რომლებსაც უკვე აქვთ საკუთარი სისტემები ჩიპზე.

Qualcomm-მა ამჯერად ჩიპების დასახელების სიტემა შეცვალა. წლების განმავლობაში გამოიყენებოდა სამი ციფრისგან შემდგარი კომბინაცია: მაგ. Snapdragon 480, Snapdragon 765 ან Snapdragon 888. ახალ სქემაში პირველი ციფრი 8 აღნიშნავს ტოპ სეგმენტს და სახელში გათვალისწინებულია თაობა ისევე, როგორც ამას სამაგიდო პროცესორების მწარმოებლები აკეთებენ.

Snapdragon 8 Gen 1 ამართლებს “პირველი თაობის” სახელს იმიტომ, რომ მასში რეალიზებულია მთელი რიგი ინოვაციური ტექნოლოგიები. ეს არის Armv9 Cortex, სრულიად ახალი GPU Adreno, გაუმჯობესებული გამოსახულების დამუშავების კონვეერი ბევრი ახალი ფუნქციით, განახლებული Hexagon NPU/DSP, ინტეგრირებული 5G მოდემი და ეს ყველაფერი Samsung-ის უახლეს 4-ნანომეტრიან ტექნოლოგიურ პროცესზე.

საერთო ჯამში Snapdragon Gen 1 დაახლოებით 20%-ით სწრაფია და 30%-ით ერეგოეფექტურია ვიდრე Snapdragon 888.

მნიშვნელოვანი ტექნიკური მონაცემები

SoC	Snapdragon 8 Gen 1	Snapdragon 888
CPU	1x Cortex-X2 3,0 გჰც1×1024 კბpL2 3x Cortex-A710 2,5  გჰც 3×512  კბ pL2 4x Cortex-A510 1,80  გჰც 2x??  კბ sL2 6 მბsL3	1x Cortex-X1 2,84  გჰც 1×1024  კბ pL2 3x Cortex-A78 2,42  გჰც 3×512  კბ pL2 4x Cortex-A55 1,80  გჰც 4×128  კბ pL2 4 მბ sL3
GPU	ახალი თოების Adreno	Adreno 660, 840 მჰც
DSP / NPU	Hexagon	Hexagon 780 26 TOPS AI (CPU+GPU+HVX+Tensor)
მეხსიერების კონტროლერი	4x 16-bit CH 3200 მჰც LPDDR5  /  51,2 გბ/წმ 4 მბ სისტემური დონის ქეში
სიგნალის პროცესორი (ISP), კამერა	სამმაგი 18-ბიტიანი Spectra ISP 1x 200 მპ ან 108 МП ZSL ან 64+36 მპ ZSL ან 3x 36 მპ ZSL 8K HDR ვიდეო и 64 მპ სწრაფ ფოტორეჟიმში	სამმაგი14-ბიტიანი Spectra 580 ISP 1x 200 მპ ან 84 მპ ZSL ან 64+25 მპ ZSL ან 3x 28 მპ ZSL 4K HDR ვიდეო და 64 მპ სწრაფ ფოტორეჟიმში
კოდირება/დეკოდირება	8K30 / 4K120 10-ბიტი. H.265 Dolby Vision, HDR10+, HDR10, HLG 720p960 უსასრულოდ
ჩაშენებული მოდემი	X65 (5G NR Sub-6 + mmWave) DL = 10000 მბიტი/წმ UL = 3000 მბიტი/წმ	X60 (5G NR Sub-6 + mmWave) DL = 7500 მბიტი/წმ UL = 3000  მბიტი/წმ
ტექპროცესი	Samsung 4 ნმ(უცნობია)	Samsung 5 ნმ (5LPE)